买卖IC网 >> 产品目录 >> SI4559EY-T1-GE3 MOSFET 60V 4.5/3.1A 2.4W 55/120mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI4559EY-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 60V 4.5/3.1A 2.4W 55/120mohm @ 10V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 60V 4.5/3.1A 2.4W 55/120mohm @ 10V
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N and P-Channel
汲极/源极击穿电压 60 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 4.5 A, 3.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 55 mOhms, 120 mOhms
配置 Dual
最大工作温度 + 175 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOIC-8 Narrow
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI4559EY-T1-GE3
SI4559EY-TI
SI4561DY-T1-E3
SI4561DY-T1-GE3
SI4562DY
SI4562DY-E3
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深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
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深圳市崧晔达科技有限公司 13926591096 苑小姐
深圳市芯驰科技有限公司 18665384978 丁皓鹏
  • SI4559EY-T1-GE3 参考价格
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